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Intel研发新技术 45nmCPU无铅生产 |
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2007年06月05日 11:48 eNet硅谷动力
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根据HKEPC的报道，Intel公司正式宣布，由新一代high-k金属闸极 (high-k metal gate) 45nm制程开始，未来Intel处理器均采用100% 无铅设计，预计将于今年下半年开始量产。Intel副总裁、技术与制造事业群组装测试技术开发总监 Nasser Grayeli 表示，Intel尔正积极朝协助环境永续发展而努力，包含了全面采用无铅制程、重视产品能源效率运用、减少废气排放，以及大规模回收再利用水资源与制造材料等。
据了解，由于铅可能影响环境和公众健康，但数十年以来，电子零组件持续使用铅的原因是因为它具备适当的电气和机械特性，要寻找能满足效能和可靠性需求的铅替代材料是一大科学及技术挑战。为此，Intel针对过往仍存于处理器封装之内部连接点 (interconnect) 第一层内之5% (约0.02公克) 的含铅焊锡 (lead solder)，或以锡、银、铜合金 (tin/silver/copper alloy) 取代以铅/锡为主的焊锡。由于Intel先进硅晶技术含有复杂的连接结构，必须投入大量的工程资源，才能使Intel处理器封装完全不使用铅，并推动整合新的焊锡合金系统。
无论是采用何种封装设计，包括PGA (pin grid array)、BGA (ball grid array) 和LGA (land grid array) 等方式，Intel45 nm Hi-k技术均将100%使用无铅设计。Intel也将于2008年将65nm制程所制造的芯片组产品全面改采100% 无铅技术。
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