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Intel即将试产128Mb的相变存储模块 |
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2007年03月11日 13:28 eNet硅谷动力
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近日，Intel宣布将在今年上半年试产128Mb的相变存储模块，量产预计在年底前开始。
Intel闪存集团的副总裁Brian Harrison以及该集团首席技术官Ed Doller在6号举行的一次媒体会议上宣[center][/center]布了这一消息。intel公司自2000年起就开始通过获取Ovonyx公司的技术授权研究相变存储技术。去年6月，Intel和STMicroelectronics也宣布开展合作，共同致力于让相变存储技术代替闪存，作为非易失性存储的下一代解决方案。
Doller在会议上宣称，他们的128Mb相变存储模块已经达到了1亿次的重复擦写性能和10年的保存能力，，之前诟病的温度适应问题也基本得到解决，已经非常接近于商品化的标准。除了闪存，他们相信相变存储还能在一定程度上代替PC中的内存，但目前的试产的产品被设计为替代NOR型闪存。
相变存储已经成为闪存业界的热点，奇梦达公司也在和IBM合作开发这一技术。
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