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你追我赶 三星50nmHynix60nmDDR2 |
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2006年12月22日 17:42 IT世界网 文/路人乙
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韩国Hynix半导体于本月18日宣布推出基于60nm 1Gbit DDR2-800 DRAM芯片的系列高容量内存产品。新内存主要采用更高精度的制程而适用于高密度DRAM模组以及需要高性能的产品，譬如图形卡和以及移动手持设备。Hynix表示将在2007年上半年进行量产。1GB和2GB UDIMMs工作频率在800MHz，获得Intel认证。Hynix强调，和第一代80nm技术相比，在60nm制程大规模部署之后，1Gbit DRAM的生产成本预期将降低50%。 1Gbit封装尺寸的结果，将让Hynix可以低成本生产4GB或者以上容量的RDIMM、FB-DIMM。双列小封装尺寸将免除在模组上堆叠部件的要求，以进一步降低生产成本。小封装尺寸也可以生产出VLP模组。
三星的进度也不错，10月的时候三星已经宣布开发完成业内首款50nm DDR2 DRAM芯片，三星表示，对比60nm的DRAM芯片，50nm工艺将提高55%生产效率，新50nm 1Gbit DRAM芯片还采用了立体晶体管设计、多绝缘层隔离等先进半导体技术，大大加强了芯片的性能以及存储能力。新50nm工艺产品同样面向笔记本内存、图形卡显存等领域。但是和Hynix不同的是，三星的首批50nm DRAM芯片在2008年才投入量产。
两家大厂的进度表明，2007年将进入DDR2-800 的黄金时期，届时2007年的市场将进行的是DDR2-667往DDR2-800的转换，目前主流的仍旧是DDR2-667内存。
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