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第二代Z-RAM技术可将CPU缓存提至100M |
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2006年12月09日 17:00 中关村在线 文／董小波
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近日，Innovative Silicon公司公布了其第二代Z-RAM技术。Innovative Silicon发布的声明中并没有透露太多信息，但是由于AMD就Z-RAM技术与Innovative Silicon合作之后，事情就变得非比寻常了。
Z-RAM(零电容DRAM)是一种比普通D-Ram，甚至是高端CPU用来开发缓存的S-RAM还要密集许多的内存芯片。这种新内存背后的技术将使相同管芯下实现更大缓存。四核心Kentsfield(2×4MB缓存)这类CPU中使用的大容量缓存芯片占据了芯片几乎所有的空间，因此，这一创新可能将实现行业一大技术突破。
当刚推出第一代Z-RAM时，Innovative Silicon称，它的技术可以将使用SOI(硅绝缘体)技术和130nm工艺的标准S-RAMS密度提到至原先的5倍。第二代Z-RAM仍然依赖于SOI，但是厂商已经开始在90nm工艺下使用65nm和45nm生产线来生产Z-RAM。较之常规技术，当分配大容量内存空间时，第二代Z-RAM所耗电能明显低很多。
该公司同时还称，真实的Z-RAM可以“在内存位单元存储更多指令”，从而缩短CPU读写周期。据Innovative Silicon的消息，Z-RAM可以突破1GHz限制。该公司对外公布的信息显示，当使用65nm工艺时，内存每平方毫米可以存储5MB数据；当使用45nm制造工艺时，内存每平方毫米存储容量将超过10MB。如果该技术能够应用到真实CPU的晶片尺寸，它将很容易就可以把L2缓存值提升到50-100MB。
在早期的一份声明中，Innovative Silicon总裁兼首席执行官Mark-Eric Jones声称：“我们的第二代Z-RAM技术确实是一项技术突破。当前，我们还没有发现任何与之相仿的其他技术。Z-RAM已经成为世界上最密内存技术，通过Z-RAM第二代，CPU速度将提高两倍以上，内存读取功耗将降至原先的75%，而内存写入功耗将降至90%。”
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