内存步入50nm时代

2006年10月20日 17:43

三星刚刚宣布开发完成业内首款50nm DDR2 DRAM芯片。

三星表示，相对现有的60nm DRAM芯片，50nm工艺将提高55％生产效率。除此之外，新50nm 1Gbit DRAM芯片还采用了3D晶体管设计、多绝缘层隔离等先进半导体技术，大大加强了芯片的性能以及存储能力。

三星表示，新50nm工艺将在笔记本内存、图形显存等领域大显身手。首批50nm DRAM芯片将在2008年大规模生产，2011年占领主流DRAM市场，届时全球DRAM市场总值将达到550亿美元。

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